支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。

　　ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

　　一般情况下，一块主板只支持一种内存类型，但也有例外。有些主板具有两种内存插槽，可以使用两种内存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，现在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。

　　上图中的主板就支持两种内存类型（SDRAM和DDR SDRAM），采用两种类型的内存插槽（蓝色和黑色）区分。值得注意的是，在这些主板上不能同时使用两种内存，而只能使用其中的一种，这是因为其电气规范和工作电压是不同的，混用会引起内存损坏和主板损坏的问题。

FPM内存
FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。 

EDO内存
EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。

SDRAM内存
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

RDRAM内存
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。

DDR SDRAM内存
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。 

DDR2内存
DDR2的定义：

    DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
              
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。


DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

    从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

    这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

    DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

    DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

    DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

    除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

    OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

    ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

    Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

    总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

FB-DIMM
FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全缓冲内存模组)是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。

    FB-DIMM技术是Intel为了解决内存性能对系统整体性能的制约而发展出来的，在现有技术基础上实现了跨越式的性能提升，同时成本也相对低廉。在整个计算机系统中，内存可谓是决定整机性能的关键因素，光有快的CPU，没有好的内存系统与之配合，CPU性能再优秀也无从发挥。这种情况是由计算机原理所决定的，CPU在运算时所需要的数据都是从内存中获取，如果内存系统无法及时给CPU供应数据，CPU不得不长时间处在一种等待状态，硬件资源闲置，性能自然无从发挥。对于普通的个人电脑来说，由于是单处理器系统，目前的内存带宽已经能满足其性能需求；而对于多路的服务器来说，由于是多处理器系统，其对内存带宽和内存容量是极度渴求的，传统的内存技术已经无法满足其需求了。这是因为目前的普通DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构，这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不继续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片数据越多，影响也就越大。虽然Rambus公司所推出的的XDR内存等新型内存技术具有极高的性能，但是却存在着成本太高的问题，从而使其得不到普及。而FB-DIMM技术的出现就较好的解决了这个问题，既能提供更大的内存容量和较理想的内存带宽，也能保持相对低廉的成本。FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。

    与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。

    与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。


用于数据中转、读写控制的缓冲控制芯片AMB并非只是一枚简单的缓冲芯片，它主要承担以下三方面的功能：

    1)负责管理FB-DIMM的高速串行总线。缓冲芯片与北桥芯片（或者CPU）中的内存控制器连接，让数据在内存缓冲与控制器之间传送，承担数据发送和接收的指派任务，这包含一组数据读取的14位串行通路和一组用于数据写入的10位通路。
    2)实现并行数据流与串行数据流的翻译转换工作和读写控制。缓冲芯片从内存中读取出来的原始数据原本都为并行格式，它们在通过高速串行总线发送出去之前就必须先转换为对应的串行数据流，而这个任务也必须由缓冲芯片来完成，反之，从内存控制器传来的串行数据流要转成指定的并行格式，然后才能写入到内存芯片中，缓冲芯片自然也要承担这个任务。
    3)承担多个FB-DIMM模组的通讯联络任务。如果在一个内存通道中存在多条FB-DIMM模组，那么各个FB-DIMM模组间的数据都是通过缓冲芯片来传递、转发的。缓冲芯片要始终承担着数据传输和读写的中介工作，不同的FB-DIMM内存储模组必须通过这枚芯片才能交换信息。
                    
因此，每个内存芯片不再直接和内存控制器进行数据交换。实际上，除了时钟信号和系统管理总线的访问，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的AMB的中转，从而消除了传统DIMM模组“短线连接”的弊端。不难看出，缓冲芯片AMB实际上是FB-DIMM的大脑，它承担所有的控制、传输和中转任务。使用串行总线作为传输媒介，FB-DIMM便顺理成章拥有跨越式的高接口带宽。根据1.0版标准定义，FB-DIMM模组的串行总线有3.2GHz、4.0GHz和4.8GHz三种频率规格，而每条模组的有效位宽为24bit，所对应的接口带宽便是9.6GBps、12GBps和14.4GBps，远远超过了现有的DDR2内存。必须注意的是，FB-DIMM的接口带宽与实际读写带宽其实是两个概念，前者所指的只是每个模组串行总线的最高带宽，它在含义上类似SATA接口—SATA的总线带宽达到150MBps，但这并不是指串行ATA硬盘能达到这个速度，代表的只是带宽的最高值。同样，FB-DIMM的接口带宽同样如此，模组的实际性能仍取决于内存芯片规格和模组位宽设计。如果采用DDR2-533芯片、64bit位宽设计，那么这条FB-DIMM的有效带宽仍然只有4.2GBps，同现有的DDR2-533内存完全一样。FB-DIMM之所以能拥有高性能，关键在于串行传输技术让它摆脱了并行总线难以实现多通道设计的问题，使得在计算机中引入六通道设计成为可能，借此达到传统DDR2体系难以想象的超高带宽，这就是FB-DIMM的真正奥秘所在。不过，引入缓冲设计也会产生一个新的问题。数据在传输过程中需要经过缓冲和转换，不可避免需要花费额外的延迟时间，对性能产生负面影响。但随着工作频率的提升，这个缺陷会变得越来越不明显。为了保持信号稳定，DDR2内存的延迟时间将随着工作频率的提高而快速增加，而FB-DIMM的延迟时间增幅平缓，所以虽然现在FB-DIMM延迟较高，但当单条模组的带宽达到4GBps左右时，FB-DIMM与DDR2内存延迟时间相当，超过这个临界点之后，DDR2内存的延迟时间将明显长于FB-DIMM。换句话说，FB-DIMM系统不仅具有更高的数据带宽，而且延迟时间更短、反应速度更快。

串行总线设计是FB-DIMM赖以拥有高效能的基础。实际上，Intel并没有另起炉灶从零开始设计，而是直接沿用了许多来自于PCI Express的成果，其中最关键的就是使用差分信号技术(Differential Signaling)。 现有各种并行总线都是以一条线路来传输一个数据信号，高电平表示“1”，低电平表示“0”，或者反过来由低电平表示“1”，高电平表示“0”。单通道结构的64bit内存需要使用64条金属线路来传输数据，双通道就需用到128条线路。当数据在线路传输时，很容易受到电磁环境的干扰，导致原始数据出现异常，如高电平信号电压变低，或低电平的电压变高，这些干扰都有可能让接收方作出错误的判断，导致数据传输失败。过去业界曾为这个难题大伤脑筋，当初硬盘数据排线从40针提高到80针细线（增加40根地线）就是为了降低传输干扰，但直到串行技术引入后问题方告解决。与传统技术迥然不同，差分信号不再是以单条线路的高低电平作为“0”和“1”的判断依据，而是采用两条线路来表达一个二进制数据—数据究竟为“0”还是“1”取决于这两条线路的电压差。这样，即使受到严重的外来干扰，导致两条线路传输的电平信号发生较大范围的电压波动，但它们之间的电压差依然可以保持相对稳定，接收方便能够作出正确的判断。因此，差分信号技术拥有非常强的抗干扰能力，但因它需要占用两条线路，很难被引入到并行总线技术中，只有针对服务器应用的SCSI总线是个例外。 

    FB-DIMM借鉴PCI Express技术的第二个地方，就是其串行总线也采用了点对点结构。目前，DDR体系的并行总线无法在同一时刻同时发送和接收数据，二者根据指令轮流进行。然而FB-DIMM却可以在同一时刻同时发送和接收数据，奥秘在于它拥有两个串行通路，一个用于数据发送，一个用于数据接收。与之对应，FB-DIMM的缓存芯片有专用的发送控制逻辑和接收控制逻辑，数据读出操作和写入操作可在一个周期内同步进行。这实际上将内存系统的理论延迟时间缩短了一半，弥补了缓冲处理所造成的损失。较为特殊的是，FB-DIMM的数据发送总线与接收总线是不对等的，发送总线一共有14个线路对，一次向内存控制器发送14bit数据。而接收总线采用10位设计，每次只能够接收10bit数据。笼统地说，单通道的FB-DIMM模组就是24bit设计。这种不对等设计之前没有先例，但它却十分符合内存系统的客观实际。在大多数情况下，CPU从内存中读出的数据总是远远多于写入到内存的数据，与之对应，读取总线带宽高于写入总线的设计方案科学合理，而且十分经济。 

    按照Intel的FB-DIMM规范，每个DIMM只需要69pin或70pin，比普通DDR2的240pin要少得多，这有利于实现多通道设计。例如普通的DDR2系统需要240条线路，而且线路长度必须保持严格一致，这导致了设计难度的加大，而且主板PCB上的空间被密密麻麻、设计极其复杂的蛇形线路占据，没有任何空余的地方；而采用FB-DIMM的话，即使是六通道设计，也只需要420条线路，比双通道的DDR2还要少得多，大大简化了主板设计，并且工作更加稳定。  

    高性能并非FB-DIMM的唯一优点，对服务器系统来说，FB-DIMM另一个关键的优点是它可实现超大容量。每个FB-DIMM内存通道都可以最多支持8个DIMM(普通DDR2每个内存通道只能支持2个DIMM)，一个服务器系统最多可以实现6个通道，装载48条FB-DIMM内存，而每条FB-DIMM内存的最大容量达到4GB，这样该系统可容纳的最高容量就达到了192GB。这么大的容量对于普通服务器没有什么意义，但对于高端系统乃至超级计算机，FB-DIMM带来的容量增益就非常明显。

    要将如此之多的FB-DIMM内存插槽放置在主板上肯定是个大麻烦。显然，若采用现行内存槽方案，将导致主板PCB面积难以控制，为此，Intel为FB-DIMM系统定义了全新的连接模式，通过内存扩展板来实现多模组的连接。主板上提供6个内存扩展槽，每个内存扩展槽对应一个通道。每个内存扩展槽上可直接插入FB-DIMM模组或者是内存扩展板，每个内存扩展板上又有8个FB-DIMM内存插槽，只要你愿意，可以将8条FB-DIMM模组插在扩展板上，然后再将该内存扩展板插在主板上，依此类推，完成6通道、48条内存的安装。这种方法充分利用了机箱内部空间，巧妙解决了多模组安装的难题，构建高效能系统就显得更具可操作性。
                
值得注意的是，FB-DIMM内存模组的金手指仍有240个，与普通DDR2内存相同，区别只是缺口的位置不同而已。这种设计其实也是为兼容现有生产设备之故，FB-DIMM的有效针脚只有69个或70个，我们可以从FB-DIMM内存模组实物图中看到，只有正面左侧的金手指有连接到缓冲控制芯片的线路，其余位置的金手指并没有连接线路，只是做做样子而已。也许很多人会认为，直接设计为69个或70个金手指会更经济一些，但这样做就必须对现有的生产设备作较大的调整，花费的成本反而更高。

综上所述，严格说来FB-DIMM并不是一种全新的内存类型，而只是一种能极大的提升内存性能的连接技术，它并不涉及到内存的核心技术的改变，而是利用了现有的DRAM芯片，只是在系统架构与互联方式上进行了新的尝试。FB-DIMM目前所存在的主要问题是，首先，FB-DIMM虽然成本比XDR要低廉得多，但其价格仍然要比普通DDR2内存要高得多；其次，FB-DIMM的功耗比较大，这直接导致其发热量也比较大，因此所有的FB-DIMM内存模组都必须配备散热片，而且在一个配备大容量FB-DIMM的多路服务器系统中，FB-DIMM的总功耗也不容小视。FB-DIMM的特点决定了该技术目前只会应用在服务器/工作站平台上，而普通的个人电脑则暂时还不会采用。在Intel方面，目前支持FB-DIMM的Intel 5000系列芯片组已经发布，相应的主板也已经上市，而且各大内存生产厂商也都推出了各自的基于DDR2的DDR2 FB-DIMM内存模组产品，未来还将推出基于DDR3的DDR3 FB-DIMM内存模组产品。而AMD方面，由于Opteron整合了内存控制器，要支持FB-DIMM必须得全面重新设计处理器，故目前暂时还不会支持FB-DIMM，但也将在2008年左右使Opteron全面支持FB-DIMM。

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楼主真丢人啊！~~

1楼发表的我看了一下``但是能说一下它支持哪一种品牌的主板吗?

DDR  DDR2   支持哪些芯片? QQ597915646

能告诉我 sis650芯片组最大支持多大内存吗？

请问i865GV芯片组最大支持多大内存？